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硅碳棒在使用时生成的薄膜

硅碳棒在使用时生成的薄膜

发布日期:2019-12-12 作者: 点击:

硅碳棒.jpg

  硅碳棒在使用中因表面氧化生成二氧化硅薄膜,使用时间长后,硅碳棒的阻值随着二氧化硅薄膜的增加而增大。在结晶临界点(270℃)附近发生异常的sio2膜的膨胀和收缩。由于间歇式炉中使用的间歇总是在这个温度下浮动,所以二氧化硅薄膜不断破碎,加速氧化。因此,当停电炉温度降至室温时,电阻往往急剧增大。如果硅碳棒的阻值不同,高阻硅碳棒的负载在串联过程中更加集中,可能导致硅碳棒的电阻迅速增大,寿命缩短。硅碳棒一般采用串并联方式连接。建议先用2个串联成一组,再用2个并联成多组。特别是当炉内温度超过1350℃时,必须并联。三相连接时建议采用开三角形连接。

本文网址:http://www.fastacom.com/news/456.html

关键词:硅碳棒

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